Os supercondutores a base de BiSrCaCuO apresentam três fases principais, Bi2Sr2CuO, Bi2Sr2CaCu2O e Bi2Sr2Ca2Cu3O com temperaturas críticas de 20 K, 80 K e 110 K, respectivamente. Desta forma, torna-se fundamental a caracterização elétrica de tais materiais a baixas temperaturas. Com este objetivo confeccionou-se um criostato para medidas de caracterização elétrica. Utilizando-se nitrogênio líquido (77 K), e controlando a pressão sobre o refrigerante, atingiu-se uma temperatura da ordem de 64 K (baseado em princípios termodinâmicos) abrangendo uma maior faixa de temperatura de medida, que permitiu identificar pelo menos duas fases supercondutoras no sistema BSCCO (2212 e 2223). Neste contexto, este sistema propicia uma relação custo/beneficio mais favorável, pois evita o uso de refrigerantes mais custosos como o hélio líquido. O criostato mostra experimentalmente a aplicação dos diagramas de fase PxT (Lei de Gay-Lussac) vistos nos cursos de termodinâmica, propiciando demonstrações experimentais que raras vezes são vistas em sala de aula.

Superconductor systems based on BSCCO (BiSrCaCuO) show three main structures, Bi2Sr2CuO, Bi2Sr2Ca Cu2O, and Bi2Sr2CaCu3O, with critical temperatures about 20 K, 80 K, and 110 K, respectively. Therefore, it is fundamental to characterize these systems at low temperatures. In this work it was projected a cryogenic system with capacity to reach temperatures below the liquid nitrogen temperature (77 K). Controlling the pressure on the liquid nitrogen system, according to usual thermodynamic principles, it has been possible to reach a range of temperatures above 64 K in the sample holder. With the availability of a larger temperature range, it became possible to identify at least two superconducting phases in the BSCCO system. There is a favorable cost/benefit ratio with respect to using liquid helium as the refrigerator system. Also, this cryostat provides an application of the standard p-T diagrams (Gay-Lussac law), which are studied in undergraduate courses, and can be used as a pedagogical experimental demonstration.

Neste trabalho foi montado um sistema para determinar propriedades de transporte, tais como, a resistividade elétrica, a densidade e a mobilidade dos portadores de carga elétrica de filmes finos utilizando o efeito Hall, nas condições de laboratório de ensino, utilizando materiais de fácil aquisição. Filmes finos de SnO2 dopados com Fluor obtidos por processos químicos de deposição foram caracterizados e apresentaram resultados consistentes com o que existe na literatura.

In this work was built a system to determine transport properties such as electrical resistivity, charge carrier density and mobility of thin films using Hall effect in special conditions of undergraduate laboratory using no special materials either instruments. SnO2 thin films doped with fluor obtained by chemical process were characterized using the developed methodology and presented consistent results those reported in literature.